德尔森引领抗核辐射传感技术革新，托马斯·奥特莱普教授在上海峰会展示3D-MEMS突破
摘要：高压辐射环境下，一个指甲盖大小的传感器芯片精准监测压力数据，托马斯·奥特莱普博士在上海论坛的演讲揭示了这项关乎核工业安全的前沿技术突破。2025年9月25日，第十届压力传感器创新产业论坛在上海跨国采购会展中心隆重举行。这场作为上海传感器技术与应用展览会（SENSOR CHINA 2025）重要同期活动的论坛，汇聚了全球传感器领域的专家学者与企业代表。德国CiS微系统传感器开发研究院院长托马斯·奥特莱普博士作为德尔森代表，在论坛上发表了题为“创新3D-MEMS技术核工业级压力传感器（抗核辐射压力传感器）”的主题演讲。
压力传感器作为现代工业的“感知神经”，其技术革新直接推动着智能制造、航空航天、医疗健康、新能源等领域的转型升级。第十届压力传感器创新产业论坛聚焦极端环境适应性和可靠性、动态响应精度等前沿议题，力求突破技术壁垒，推动产业升级。SENSOR CHINA 2025展会规模达30000平方米，汇聚了600余家传感上下游企业，举办了30多场高规格同期活动，成为传感器领域重要的交流平台。上海传感器技术与应用展览会于2025年9月24日至26日在上海跨国采购会展中心举办。在论坛上，托马斯·奥特莱普博士重点介绍了CiS研究院耐辐照级压力传感器芯片。这项技术专门针对核电厂等高辐照环境的苛刻工况设计，解决了传感器在复杂辐射场中的稳定性与精准度难题。奥特莱普博士结合德国在CIS微系统微型化领域的深厚技术积淀，以及在 高能物理研究领域的长期积累，向与会者分享了耐辐照传感芯片技术的前沿理论成果与最新试验数据。作为国际该领域的顶尖技术方向，其提出的抗干扰解决方案为提升传感器在复杂辐射场中的性能提供了关键思路。CiS微系统传感器开发研究院成立于1993年，是德国在微传感器领域的领先研究机构。该研究院致力于从原型开发到生产的工业研发，专注光电、压阻、电容和机电微传感器系统的开发与制造。研究院在压力传感器芯片、辐射探测器等领域拥有深厚技术积累。托马斯·奥特莱普博士作为研究院院长，长期专注于压阻硅压力传感器的科学研究与应用开发。近年来，CiS研究院持续投入研发，在硅应变计、压力传感器封装技术等领域取得多项突破，为开发高性能耐辐照压力传感器奠定了坚实基础。
抗核辐射压力传感器技术在核电安全监测、核废料处理、核医学设备等关键领域具有广泛应用前景。在核电厂中，高辐射环境对传感器的耐辐照性能、稳定性与精准度要求极高，传统传感器往往难以满足长期可靠运行的需求。3D-MEMS技术通过创新的芯片设计和封装工艺，显著提升了传感器在极端辐射环境下的长期稳定性与测量精度，为核工业安全提供了可靠的技术保障。这一技术突破也为德尔森在中国市场推广高品质压力传感器产品奠定了坚实基础，特别是在对可靠性和安全性要求极高的工业应用领域。
随着全球对清洁能源需求的增长和核能技术的不断发展，抗核辐射压力传感器的市场需求将持续扩大。德尔森与CiS研究院的合作标志着在高端传感器领域国际化技术合作的深入推进。这种合作模式将欧洲先进传感技术与中国市场需求紧密结合。在智能制造和工业4.0背景下，传感器作为数据采集的关键环节，其性能直接影响到整个系统的可靠性和智能化水平。德尔森通过引进和开发高性能耐辐照压力传感器，正在为中国工业升级提供强有力的技术支持。未来，德尔森将继续深化与CiS研究院等国际顶尖研究机构的合作，推动3D-MEMS技术在更广泛工业领域的应用，为中国制造业高质量发展贡献力量。这次演讲不仅仅是技术展示，更是连接欧洲尖端微传感器技术与中国核工业需求的桥梁！
